В соответствии с Федеральным законом от 29 декабря 2012 г. № 273-ФЗ «Об образовании в Российской Федерации» аспирантура является третьим уровнем высшего образования (ВО) для подготовки научно-педагогических и научных кадров высшей квалификации с целью проведения научных исследований, подготовки и защиты диссертации на соискание ученой степени кандидата наук, сдачи кандидатских экзаменов.
В аспирантуре ИПЛИТ РАН — филиала ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН осуществляется подготовка аспирантов по направлению:
11.06.01 – Электроника, радиотехника и системы связи
Направленность программ подготовки:
— квантовая электроника.
Количество мест — 2.
Срок обучения в очной аспирантуре – четыре года.
Иногородним аспирантам предоставляется служебное жилье.
Сроки приема документов и проведения вступительных экзаменов:
Сроки приема документов: 6 августа – 25 августа
Сроки проведения экзаменов: 1 сентября – 25 сентября
Подлинник диплома необходимо представить не позднее: 26 сентября
Зачисление и начало обучения: 1 октября
Даты и время проведения вступительных экзаменов определяются расписанием.
К освоению программ подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре допускаются лица, имеющие образование не ниже высшего-специалитет или магистратура. Прием на обучение осуществляется на первый курс. Прием на обучение осуществляется по заявлению о приеме, которое подается поступающим с приложением необходимых документов.
Поступающие в аспирантуру сдают следующие вступительные экзамены со приведенной приоритетностью:
1. Специальную дисциплину:
— квантовая электроника
2. Иностранный язык.
При подаче заявления о приеме поступающий представляет:
- Документ, удостоверяющий личность;
- Оригинал или копию диплома о высшем образовании с приложением;
- При необходимости создания специальных условий при проведении вступительных испытаний – документ, подтверждающий инвалидность. Одновременно представляется заключение федерального учреждения медико-социальной экспертизы об отсутствии противопоказаний для прохождения обучения по выбранному направлению подготовки в Филиале;
- Документы, подтверждающие индивидуальные достижения поступающего (представляются по усмотрению поступающего) – гранты, стипендии, патенты, правительственные награды и т.д.;
- Список опубликованных научных работ;
- Перечень научных конференций с личным участием;
- Две фотографии
Контакты:
Новикова Лариса Викторовна, Ведущий инженер
тел.: +7 (49645) 22200 (доб. )
e-mail: novikova@shatura.laser.ru