Аспирантура

В соответствии с Федеральным законом от 29 декабря 2012 г. № 273-ФЗ «Об образовании в Российской Федерации» аспирантура является третьим уровнем высшего образования (ВО) для подготовки научно-педагогических и научных кадров высшей квалификации с целью проведения научных исследований, подготовки и защиты диссертации на соискание ученой степени кандидата наук, сдачи кандидатских экзаменов.

В аспирантуре ИПЛИТ РАН — ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН осуществляется подготовка аспирантов по направлению:

11.06.01 – Электроника, радиотехника и системы связи
Направленность программ подготовки:
квантовая электроника.

Количество мест — 2.
Срок обучения в очной аспирантуре – четыре года, заочной – пять лет.
Иногородним аспирантам предоставляется служебное жилье.

Сроки приема документов и проведения вступительных экзаменов:
Сроки приема документов: 6 августа – 25 августа
Сроки проведения экзаменов: 1 сентября – 25 сентября
Подлинник диплома необходимо представить не позднее: 26 сентября
Зачисление и начало обучения: 1 октября
Даты и время проведения вступительных экзаменов определяются расписанием.

К освоению программ подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре допускаются лица, имеющие образование не ниже высшего-специалитет или магистратура. Прием на обучение осуществляется на первый курс. Прием на обучение осуществляется по заявлению о приеме, которое подается поступающим с приложением необходимых документов.

Поступающие в аспирантуру сдают следующие вступительные экзамены со приведенной приоритетностью:
1. Специальную дисциплину:
— квантовая электроника
2. Иностранный язык.

При подаче заявления о приеме поступающий представляет:

  1. Документ, удостоверяющий личность;
  2. Оригинал или копию диплома о высшем образовании с приложением;
  3. При необходимости создания специальных условий при проведении вступительных испытаний – документ, подтверждающий инвалидность. Одновременно представляется заключение федерального учреждения медико-социальной экспертизы об отсутствии противопоказаний для прохождения обучения по выбранному направлению подготовки в Филиале;
  4. Документы, подтверждающие индивидуальные достижения поступающего (представляются по усмотрению поступающего) – гранты, стипендии, патенты, правительственные награды и т.д.;
  5. Список опубликованных научных работ;
  6. Перечень научных конференций с личным участием;
  7. Две фотографии

Контакты:

Новикова Лариса Викторовна, Ведущий инженер
тел.: +7 (49645) 22200 (доб. )
e-mail: novikova@shatura.laser.ru